F5701

F5701 是奥希罗半导体推出的第二代毫米波上/下变频器。它针对 n257/n258/n261 频段的 5G 波束成形应用进行了优化，并在射频性能和功能方面进行了多项升级。该器件采用实中频 (RTIF) 异差架构，并带有低侧本振 (LO) 注入功能，可将 2.5GHz 至 6GHz 中频信号转换为 5G NR FR-2 频段，覆盖 24.25 GHz 至 29.5 GHz 频谱。该器件的两个连续片内 LO 倍频器可产生 2 倍或 4 倍的净倍频因子，从而降低了外部 LO 馈电要求。所有射频 (RF)、中频 (IF) 和本振 (LO) 端口均采用单端 50Ω 阻抗，以便于集成到信号路径中。

F5701 通过先进的高速 SPI 协议进行控制，采用 4.0 × 4.5mm、49-BGA 封装。其额定工作温度范围为 -40°C 至 95°C。