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F2932

高可靠性 SP2T 射频开关

产品详情

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  • 双对称宽带吸收式射频端口
  • 2GHz 高性能射频
    • 67dB 的 RFC-RFX 隔离度
    • 0.79dB 的插入损耗
  • 高连续射频 CW 功率处理
    • 选定的射频路径:34dBm
    • 终止的射频路径:27dBm
  • 高线性度:
    • 111dBm 的 IIP2
    • 64dBm 的 IIP3
  • 3.3V 和 1.8V 兼容控制逻辑
  • 工作温度为 -40 °C 至 +105 °C
  • 启用功能可使部件处于所有路径关闭状态并禁用 VCTL 的控制
  • 4mm x 4mm 16 引脚 QFN 封装

F2932 是一款高可靠性、低插入损耗、50Ω 单刀双掷 (SP2T) 吸收式射频开关,专为广泛的市场和应用而设计。该器件覆盖 50MHz 至 8000MHz 的宽频率范围,工作温度范围为 -40°C 至 +105°C,电源电压范围为 2.7V 至 5.5V。F2932 专为高功率处理而设计,P1 dB 高达 36.5dBm,支持直通路径 34dBm 的峰值工作功率,以及 27dBm 的热开关功率(进入端接射频端口)。 F2932 除了提供低插入损耗外,还具有高隔离度和低失真性能,并为未使用的射频端口提供 50Ω 终端电阻。

F2932 使用单个正电源电压,支持三个逻辑控制引脚,控制逻辑电压为 3.3V 或 1.8V。ENABLE 功能可使器件处于所有路径关闭状态,并在使用时禁用 VCTL 的控制。

产品文档

数据表

2025-06-18

F2932 数据表 REV1

pdf | 4.75 MB
Product Change Notice

2025-06-18

PCN# : A1803-02 Correcting MSL level for 选择 Devices

pdf | 170.36 KB
Model - S-parameter

2025-06-18

F2932 De-embedded S-parameters

zip | 410.95 KB
Product Change Notice

2025-06-18

PCN#: TB1902-01 Add Alternate Test Location on 选择 Devices

pdf | 359.59 KB
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部件号s (1)

F2932NBGP8

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